Češka (čeština) engleski Njemačka (Deutsch) Austrija (Deutsch) Švajcarska (Deutsch) Slovačka (slovenčina) Madžarska (magyar) Rumunija (Română) Francuska (français) Italija (italiano) Poljska (polski) Estonija (eesti keel) Rusija (pусский) Španija (español) Slovenija (slovenščina) Hrvatska (hrvatski) Bugarska (български)
Nemate artikala u Vašoj košarici

DIM1200ESM33-MH00

Fast IGBT Module 3300V/1200A Single Fast SiC Diodes

!_prilohy_!:
Klikni za veću sliku
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
DIM1200ESM33-MH00 Dynex Semiconductor
Nema više na zalihama
ID Code:185397
Proizvođač:Dynex Semiconductor
Cijena: na zahtjev
VAT:21 %
Raspoloživost:na zahtjev
Ukupno dionica:0 kom
Oznaka proizvođača: DIM1200ESM33-MH00
Centralno skladište Zdice: 0 kom
Vanjsko skladište (isporuka 5÷10 dana): 0 kom
Jedinica:: kom
!_prehled mnozstevnich slev_!
KoličinaCijena bez PDV-aCijena s PDV-om
This uses our latest technology trench IGBT, optimised for fast switching, and a SiC diode.
Some of the system-level benefits are improved efficiency, reduced volume/ size and weight. New inverter/converter topologies can also be realised with these devices. SiC devices (MOSFETs, Schottky diodes) are still expensive and hybrid Si/Sic module strikes a perfect balance between performance and cost. The SiC Schottky almost completely eliminates the reverse recovery loss. As a result the Erec loss is minuscule in hybrid module. ln addition, for applications such as PWM
inverters that have a hard switched turn-on there is also a significant reduction in turn-on losses due the dramatic reduction in free wheel diode recovery current.

Osnovni podaci:

Oznaka proizvođačaDIM1200ESM33-MH00 
Type of casing:MODUL 
Case:MODUL - E 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Konfiguracija:!_singl-e 3*(t+d)_! 
Vrsta materijala:!_sic hybrid_! 
Material BaseALSiC 
RoHSDa 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Pakiranje i težina:

Jedinica:kom 
Težina:1400 [g]
Tip ambalaže:BOX 
Mali paket (Broj jedinica):

Elektrofizički parametri:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.9 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)17900  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)360 [ns]
tf (turn-off=fall time)290 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.001 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)13000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance140000 pF

Toplinske i mehaničke parametre:

Tmin (minimalna radna temperatura)-40 [°C]
Tmax (maksimalna radna temperatura)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.007 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.03 [°C/W]
PIN dimenzije0.00 [mm]

Upit DIM1200ESM33-MH00

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Upit:*
Molim prepišite peteroznamenkasti kod:* antispam
     Više informacija

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Molim prepišite peteroznamenkasti kod sa slike antispam
Copyright © www.semic-shop.eu by Shop5.cz

© www.semic-shop.eu

U pružanju usluga pomoći nam da kolačiće. Korištenjem usluge pristajete na naše korištenje kolačića.   Više informacija